硅APD探测模块 SPDSi
屹持光子单光子计数模块SPDSi是基于Si-APD的超灵敏光电探测器。探测波段覆盖200 -1060 nm，可工作在线性模式和盖革模式。盖革模式下增益超过60 dB。SPDSi特有的高性能主动抑制电路，可以实现连续的单光子探测，并且可加载任意宽度和周期的探测门。该电路实现了大于20 dB的雪崩抑制，从而将Si APD的性能发挥到优秀状态。在700 nm波段的探测效率超过60%，暗计数200-2000 cps，死时间小于50 ns。
SPDSi标准型号的有效光敏探测面积*高可达500 um，单光子计数信号在模块内部转化为数字TTL信号，并通过SMA接口送出。高度集成的模块化设计便于OEM应用和工业集成。
APD通过模块内部制冷工作在-20 ℃的低温环境下，以获得优秀的信噪比。制冷模块由高效的TEC控制。控制精度可达±0.2 ℃。
技术特点：
高探测效率：65%@700 nm； 500 um光敏面积；
TTL数字信号输出； 低暗计数；
低后脉冲； 低时间抖动；
应用领域：
荧光测量； 激光测距；
量子通信； 光谱测量；
光子关联； 自适应光学；
Fig1. 量子效率 Fig2. Si单光子探测器
Fig3. Si单光子探测器结构图
产品参数：
| 参数规格 参数 |
值 |
单位 |
| 供电电压*1 |
22 -28 |
V |
| 供电电流 |
0.5 |
A |
| 光谱响应范围 |
200 ----1060 |
nm |
探测效率
@200 nm
@700 nm
@850 nm
@1060 nm |
2
65
45
3 |
% |
| 暗计数 |
200 -2000 |
cps |
| 死时间 |
50 |
ns |
| 后脉冲 |
3 - 8 |
% |
| 时间抖动 |
300 - 500 |
ps |
| 饱和计数率*2 |
10 |
Mcps |
| 光敏面积 |
500 |
um |
| APD制冷温度 |
-20 |
℃ |
| 工作温度 |
-15 - +50 |
℃ |
| 输出信号电平 |
LVTTL |
|
| 输出信号脉宽 |
530 |
ns |
门脉冲输入电平
Disable=LVTTL low
Enable=LVTTL high |
0-0.4
2 -3.3 |
V |
产品说明：
1. 不正确的电压可能损坏模块，应保证接入电源不高于28V，并可提供足够电流。
2. APD属于高灵敏光电探测器件，在雪崩状态下应控制输入光信号强度，过高的光强可能损坏APD，这种损害可能降低APD的探测灵敏度，严重时甚至会造成二极管击穿。
3. 在特殊的应用场景下，应保证模块的工作温度不超过50 ℃，过高的温度可能导致APD工作温度上升，从而引起暗计数水平升高。
4. SPDSi的默认死时间为50ns。死时间设定会影响模块的*大计数率，当死时间设定在50ns时，*大计数率为10Mcps，如您的应用对死时间设定有特别要求，请在订购时与我们联系。
5. 同样，输出信号的脉宽也会影响*大计数率，典型脉宽为30 ns，如您的应用对输出信号有特别要求，请在订购时与我们联系。
6. SPDSi支持空间和光纤接口接入。
单光子探测器选型：
